震後使NAND Flash 3月合約價上漲 預期第2季情況改善 將可能出現回軟

市場調查機構 DRAMeXchange 30 日發表 NAND Flash 調查報告，指 NAND Flash3 月份上旬合約價雖然未有因日本地震影響而出現上漲，但下旬合約價卻因受災地產生短缺消息浮現而出現上漲，其中 3 月份主流 MLC NAND Flash 合約均價上漲約達 5-15% 。

據 DRAMeXchange 表示，自日本 3 月 11 日發生地震後，現貨市場對 NAND Flash 供應危機而出現急漲，但當時仍未有對合約價造成影響，但隨著 Toshiba 與 SanDisk 合資的四日市廠房也因地震而將產生一些晶圓投片量的減損，加上 IC 上游原物料的供給量因產生短缺的消息浮現，逐令 NAND Flash 3 月份下旬合約價上升。

其中， 3 月份主流的 MLC NAND Flash 合約均價上漲約達 5-15% ，但 TLC 合約均價卻出現 10% 跌幅，主要原因是供應商對其 2xnm TLC 新產品採取了優惠定價策略藉此記憶卡及 UFD 客戶增加採購。

展望第 2 季市場預期， NAND Flash 需求仍會受到供應不明朗因素影響，其中據 DRAMeXchange 預期，因應 Toshiba 與 SanDisk 合資的四日市廠房晶圓投片減損量，加上第 2 季矽晶圓供貨可能吃緊等因素下，預期第 2 季 Toshiba 與 SanDisk 合資的四日市廠房的減產量將佔總產品 10% 或以下。


另一方面，就佔全球矽晶圓約 20% 左右的產出量的信越化學的白河廠停工的影響，由於目前仍未有明確的復工進度，預期對 NAND Flash 原枰供應仍有影響，但由於目前 NAND Flash 廠仍擁有一定的庫存水位，加上對矽晶圓採購應已制定後補方案，因此預期在 5 月底前尚不會影響到業者 NAND Flash 的生產計劃。不過，假如矽晶圓供給持續吃緊，廠商仍需要於矽晶圓運用配置上作出加強調整，並觀察 NAND Flash 市場後續的供需發展狀況。


需求方面， 預期第 2 季記憶卡及 UFD 通路市場仍將受傳統淡季效應影響，加上日本大地震後 NAND Flash 下游終端應用產品仍因限電、原材料短缺或檢修設備而停工，因此部份終端產品銷售量可能不如原先預期的狀況，預計在 5 月中前尚不會影響到業者維持正常的生產計劃，但卻需要尋找及測試可行的替代元件，以做為後期的生產應變備用方案。同時， NAND Flash 終端產品的銷售量也可能因地震後購買意欲而減低銷售量。

此外， DRAMeXchange 也表示，目前日本災區的交通基礎設施已逐步復元中，而且災區的相關問題也可望 能儘快地獲得改善，加上日本正在進行重啟部份備用火力發電廠以及夏季電力供應配置等應急計劃，以減少短中期限電因素對其國內生產活動的影響程度，因此預期第 2 季 NAND Flash 市場的供給及需求量可能只出現小幅地減少，在 3 月份 NAND Flash 合約價上漲過後， 4 月份 NAND Flash 市場合約價格可望維持大致穩定，隨著日本東北及關東限電情況逐漸獲得改善後，預期 NAND Flash 於第 2 季中將出現淡季走軟。

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