DRAM合約價落底反彈趨勢確立 預期輕微回氣後將越趨平穩

DRAM 價格經過去年大幅度下降後，於 2011 年 1 月開始逐漸見底，並於剛過去的農曆新年前反彈回升。據市場調查機構 DRAMeXchange 表示，二月上旬合約價落底反彈趨勢確立，其中 DDR3 4GB 合約價錄得漲幅約 3.33% ，同時，現貨市場 DDR3 顆粒價格於農曆新年前上漲逾 20% ，加上二月中開始 DDR3 低價合約均價呈現上漲走勢，將有助於後續 DRAM 合約價格的反彈。

據市場調查機構 DRAMeXchange 15 日發表的 DRAM 二月上旬報告指出，自去年第四季合約價格下跌 50% 後，今年開始合約價格逐漸接近底，隨著一月份合約價跌幅縮小，二月上旬合約價落底反彈趨勢確立，其中 DDR3 2GB 合約均價低位漲幅約 3.23% ， DDR3 4GB 漲幅約 3.33% ，成交價由 30 美元 (2Gb $1.72) 上漲至 31 美元 (2Gb $1.78) 。

儘管 Intel 於 1 月 31 日發生 Sandy Bridge 晶片組問題，但據 DRAMeXchange 預估表示，其問題對 DRAM 需求衝擊不大，而且二月中開始修正後的新晶片組將陸續出貨，亦讓合約價格的議定開始有止跌反彈的走向， DDR3 低價合約均價呈現上漲走勢，將有助於後續 DRAM 合約價格的反彈。

同時，中國市場剛於農曆新年前夕出現強勁補貨需求，而且亦引發投機性買盤， DDR3 1333Mhz 2Gb 顆粒短短數日大漲逾 24% ，其價格上升至 $2.27 美元價位，最高更見 $2.32 美元高位。雖然稍後價格輕微呈現下跌，但據 DRAMeXchange 表示，小幅下跌為舒緩現貨大漲後的氣氛作用，而且更有助進一步刺激買氣。隨著二月上旬合約價格開出，落底訊號確定將有助於 DDR3 現貨顆粒價格的持穩。

另一方面， DRAMeXchange 早前作出 2011 年全球 PC 成長調查，據報告指出，成長率約 10% ，其中預期單機平均記憶體搭載量將成長至 3.9GB 。此外，智慧型手機與平板電腦的興起，亦帶動行動式記憶體的需求，預期記憶體容量將由 1GB 起跳， 2011 年預估需求將高達 100% YoY 成長。

再加上雲端服務急速擴張，預期 2011 年雲端伺服器應用將出現爆發性成長，令伺服器用記憶體的平均單機搭載量將有機會從 20GB 提升至 32GB 以上，伺服器 DRAM 成長亦有 50%-60% YoY 的成長力道。加上主流級繪圖卡記憶體需要日漸加強，亦有助整個 DRAM 產業發展提升。

據 DRAMeXchange 預期，未來整個 DRAM 產業將由生產標準型 DRAM 為大宗的思維逐走向多元化發展， DRAM 商廠應以持續穩定獲利為主要目標。

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